Abstract
利用变角X射线光电子谱对氧等离子体处理前后氧化铟锡ITO薄膜的表面化学状态进行了表征。实验发现用溶剂清洗之后的ITO薄膜表面存在一层厚度大约为 0.7 nm的非导电碳氢化合物污染层。氧等离子体处理方法可有效地消除C污染 ,而残存的少量污染C被部分氧化形成含羰基和羧基的化学物种。氧等离子体处理不仅提高了约 5.0nm 深度范围内的ITO薄膜表层中O的总体含量 ,更重要的是提高了膜层中 O2- 离子氧种的含量 ,改变了膜层化学结构 ,使得ITO薄膜表面的导电性能降低 ,同时改善了整个表面层化学结构的均匀性。
| Original language | Chinese (Simplified) |
|---|---|
| Pages (from-to) | 263-268 |
| Number of pages | 6 |
| Journal | 真空科学与技术 |
| Volume | 21 |
| Issue number | 4 |
| Publication status | Published - Jul 2001 |
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